杏彩体育唯一官网:碳化硅SiC的高温氧化研究

　　强度等优势，因此受到广泛关注和应用。高质量SiC氧化技术是SiC器件的关键核心工艺。通过不断优化SiC氧化工艺，可以进一步提高SiC功率器件的质量和性能，推动碳化硅功率器件在电动汽车等领域的广泛应用。

　　近日，第九届国际第三代（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。期间，“碳化硅功率器件及其封装技术”分会上，山东大学徐明升教授做了“SiC的高温氧化研究”的主题报告，分享了最新研究成果。涉及栅极氧化、沟槽MOS管等。

　　SiC沟槽MOSFET具有优异的耐高压、大电流特性，器件开关损耗比Si基IGBT低约77%。SiC MOSFET器件的阈值电压漂移影响了其广泛的应用，其根本原因是栅极氧可靠性差，栅极氧化是影响SiC MOSFET器件广泛应用的关键问题。

　　其中，高温氧化研究方面，报告给出了近界面陷阱的密度、界面陷阱电荷、TEM横截面图、栅极氧化物厚度均匀性等。沟槽MOS晶体管研究方面，涉及SEM俯视图、欧姆接触、器件性能等内容。研究结果显示， 4H-SiC在1250°C下的氧化，厚度~45nm。SiO2和SiC之间的NITs: ~ 1.68×1010 cm-2。击穿电场为9.7MV/cm，势垒高度为2.59eV。

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　　），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状

　　)的历史与应用 /

　　具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中

　　MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下

　　操作、具有优良的导通电阻/片芯面积和开关损耗、快速开关等。最近，UnitedSiC采用常关型共源共栅的第三代

　　充电器、电机和太阳能逆变器，不仅可以从这些新器件中受益匪浅，不仅在效率上，而且在尺寸上，可实现高功率、

　　功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍