杏彩体育唯一官网:2024年中国第三代半导体材料细分市场分析 国内SiC产能高速增长未来市场前景广阔【组图】
第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、金刚石，目前已实现商业化应用的主要为碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)两类，具体用途如下：
碳化硅(英语：silicon carbide)，化学式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。
被誉为功率半导体皇冠上的明珠，因其优异的材料特性，可以满足功率电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求，是半导体材料领域最有前景的材料之一。
其中，关于Sic单晶体制造，现在多数SiC单晶是在以Lely法为基础的方法上获得的，其基本过程是在石墨坩塌中心内放置多孔石墨环，在两者间隙中放入Sic粉料。加热时埔锅外层温度高，中心温度低，夹层中的碳化硅升华分解，集散到低温的堆据中心，凝结称为碳化硅单晶体。
从产业链主要参与企业来看，从事碳化硅衬底片的国内厂商主要有天岳先进、三安光电、天科合达、河北网光等;从事碳化硅外延生长的厂商主要有瀚天天成和普兴电子等;从事碳化硅功率器件的厂商较多，包括派恩杰、基本半导体、长飞先进、三安光电、长电科技等。
通常情况下，晶圆尺寸越大，其单片面积就越大、边缘浪费更小，单位时间内产出的衬底、外延更多，芯片的产能也就越大、单颗芯片成本也越低。目前，国内SiC市场仍以6英寸为主，但往8英寸升级已经成为共识，2022年，国内多家企业宣布在8英寸上取得突破：
在电动汽车等应用拉动下，国内SiC产能高速增长。2022年，SiC衬底产能达到94万片/年(折合6英寸)，相较于2021年增加30.6%;外延产能达到84万片/年(折合6英寸)，相较于2021年增加58.5%;芯片/器件产能达到96万片/年，相较于2021年增加62.7%。结合部分企业2023年年报情况，初步统计2023年SiC衬底、外延和芯片/器件产能分别为113万片/年、118万片/年和144万片/年。
更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。
同时前瞻产业研究院还提供产业大数据产业研究报告产业规划园区规划产业招商产业图谱智慧招商系统行业地位证明IPO咨询/募投可研专精特新小巨人申报等解决方案。在招股说明书、公司年度报告等任何公开信息披露中引用本篇文章内容，需要获取前瞻产业研究院的正规授权。
更多深度行业分析尽在【前瞻经济学人APP】，还可以与500+经济学家/资深行业研究员交流互动。更多企业数据、企业资讯、企业发展情况尽在【企查猫APP】，性价比最高功能最全的企业查询平台。
本报告前瞻性、适时性地对第三代半导体材料行业的发展背景、供需情况、市场规模、竞争格局等行业现状进行分析，并结合多年来第三代半导体材料行业发展轨迹及实践经验，对...
如在招股说明书、公司年度报告等任何公开信息披露中引用本篇文章数据，请联系前瞻产业研究院，联系电话：。
前瞻产业研究院中国产业咨询领导者，专业提供产业规划、产业申报、产业升级转型、产业园区规划、可行性报告等领域解决方案，扫一扫关注。
预见2024：《2024年中国第三代半导体材料行业全景图谱》(附市场规模、竞争格局和发展前景等)
【投资视角】启示2024：中国第三代半导体材料行业投融资及兼并重组分析(附投融资汇总、产业基金和兼并重组等)
