产品介绍
1 转型成功的2023得益于成功的战略转型，在汽车和工业市场增长的 推动下，安森美在 2023 年前 3 季度的业绩都超预期。 其中，第一季度由先进驾驶辅助系统 (ADAS) 和能源基 础设施终端市场带来的收入均同比增长约 50%，在第 二季度汽车业务收入超 10 亿美元，同比增长 35%，创 历史新高，第三季度汽车和工业终端市场都实现创纪录 收入。安森美大中华区销售副总裁Roy Chia2 深入布局碳化硅领域在第三代半导体领域，安森美专注于 SiC，重点聚 焦于汽车、能源、电网基础设施等应
工业电源的作用是将交流电转换为直流电，在工业领域为设备提供稳定的电力供应，在工业自动化、通讯、医疗、数据中心、新能源储能等领域广泛使用。与普通的电源相比，工业电源应用环境苛刻复杂，对电源的稳定性要求更高，需满足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同时，它对EMI和稳定性的要求也比应用更为严格。按在电能转换过程中的位置做分类，电源可分为一次电源和二次电源。模块电源属于二次电源，是采用优化的电路和结构设计，利用先进的工艺和封装技术制造， 形成的一个结构紧凑、体积小、高可靠的电子稳压电源
第三代半导体材料是指以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，更高的击穿电场、热导率以及电子饱和速率，并且在抗辐射能力方面也具有优势。这些特性使得第三代半导体材料制备的半导体器件适用于高电压、高频率场景，并且能够以较少的电能消耗获得更高的运行能力。因此，第三代半导体材料在5G基站、新能源车、光伏、风电、高铁等领域具有广泛的应用潜力。其中，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，在汽车电子领域具有广泛的应用前景。在新能源汽车领域，
12月29日消息，昨日，在小米汽车技术发布会上，小米集团董事长雷军宣布，发布CTB一体化电池技术，全球最高体积效率达77.8%，采用小米800V碳化硅高压平台，最高电压达871V，与宁德时代历时两年共同研发。据雷军介绍，小米电池通过全球最严苛的热失效安全标准，采用17层高压绝缘防护，7.8m²同级最大冷却面积，并使用165片气凝胶隔热。同时，采用行业首创电芯倒置技术，最大程度保证乘员舱安全。同时，该项技术可以达到低温环境下“续航保持率同级更高、空调升温速度同级更快、充电速度同级更快”，雷军表示，小米汽车立
12月22日消息，据报道，Adroit Market Research预计，全球汽车半导体行业将以每年10%的速度增长，到2032年将达到1530亿美元，2023年至2032年复合年增长率 (CAGR) 为10.3%。报告显示，半导体器件市场将从2022年的$43B增长到2028年的$84.3B，复合年增长率高达11.9%。目前的市场表明，到2022年，每辆汽车的半导体器件价值约为540美元，在ADAS、电气化等汽车行业大趋势下，到2028年，该数字将增长至约912美元。电动化和ADAS是技术变革的主要驱
2023年12月22日，中国北京-服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)，与设计、研发、制造和销售豪华智能电动车的中国新能源汽车龙头厂商理想汽车（纽约证券交易所代码: LI) 签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议, 意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。随着汽车行业电动化和绿色低碳转型的持续深入，高压纯电动车因其能效更高、续航里程更远，已成为汽车制
据通用智能官微消息，日前，通用智能装备有限公司SiC晶锭8寸剥离产线正式交付客户。目前，SiC晶锭主要通过砂浆线/金刚石线切割，效率低和损耗高。据悉，通用智能采用激光隐切技术完成SiC晶锭分割工艺过程，并成功实现8寸碳化硅晶锭剥离设备的量产。
据科友半导体官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅衬底材料装备开发及产业化工艺研究”项目阶段验收评审会召开。会上，以黑龙江省科学院原院长郭春景研究员为组长的评审专家组认为，科友半导体完成了计划任务书2023年度阶段任务，成功获得了8英寸碳化硅单晶生长的新技术和新工艺，建立了碳化硅衬底生产的工艺流程，制定了相关工艺流程的作业指导书，一致同意项目通过阶段验收评审。据了解，8英寸碳化硅衬底材料装备开发及产业化工艺研究项目是2021年哈尔滨市科技专项计划项目，由哈尔滨科友半导体承担，旨在推动8英寸碳化硅装备国
三相逆变器的定义是将直流电能转换为交流电能的转换器，其基本原理就是SPWM，硬件架构为四个功率模块组成单相、三相桥式电路，桥式输出至负载间串接低通滤波元件，控制回路具有两个信号产生源，一个是固定幅值的三角波（调制波）发生器，一个为正弦波发生器，利用三角波对正弦波进行调制，就会得到占空比按照正弦规律变化的方波脉冲列，调制比不同，一个正弦周期脉冲列数等于调制波频率除以基博频率）。再用方波脉冲列去控制上述桥式电路，在输出上就得到了符合要求的正弦电压电流了。一、前言三相逆变是指转换出的交流电压为三相，
12月1日消息，近日，据外媒报道，意法半导体（STMicroelectronics）将于意大利西西里岛Catane投资50亿欧元，新建一座碳化硅、超级半导体晶圆厂。该晶圆厂将专门生产碳化硅芯片，为电动车关键技术并具强大成长潜力。报道称，此举是意法半导体继与格芯在法国东南部Crolles的75亿欧元晶圆厂计划后为平衡集团在意法两国布属所为。值得一提的是，今年6月，意法半导体宣布将与三安光电在中国重庆成立200mm碳化硅器件制造合资企业，预计2025年第四季度投产，预计到2030年碳化硅收入将超过50亿美元。
11月28日消息，据外媒报道，日前，英飞凌绿色工业动力部门（GIP）总裁Peter Wawer在受访时透露，英飞凌正在其位于Villach的工厂生产8英寸SiC晶圆的电子样品。他表示，英飞凌目前使用6英寸晶圆，但已经在工厂制备了第一批8英寸晶圆机械样品，很快将它们转化为电子样品，并将在2030年之前大规模量产应用。在产能方面，英飞凌正在通过大幅扩建其Kulim工厂（在2022年2月宣布的原始投资之上）获得更多产能，信息称，英飞凌将建造世界上最大的200毫米晶圆厂SiC（碳化硅）功率工厂。值得一提的是该计划
伦敦2023年11月15日 /美通社/ -- 随着Omdia预测电动汽车 (EV) 将引发新型半导体激增，电力半导体行业的几十年旧规范正面临挑战。人工智能热潮是否会产生类似的影响？功率分立器件、模块和IC预测Omdia半导体元件高级分析师卡勒姆·米德尔顿表示：“长期以来依赖硅技术的行业正受到新材料制造的设备的挑战和推动。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的开发始于上个世纪，但它们的技术成熟度与可持续发展运动相匹配，新材料制造的设备在能源匮乏的世界中有着显著的效率提升。”2018 年，特斯拉首次
在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量分析这三类产品的不同？Power Intergrations（PI）资深培训经理Jason Yan日前结合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)产品，详细解释了三类产品的优劣，以及PI对于三种产品未来的判断，同时还介绍了PI氮化镓产品的特点及优势。在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅
Nexperia与KYOCERA AVX Salzburg合作为功率应用生产650 V碳化硅整流二极管模块
奈梅亨，2023年11月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布与国际著名的先进电子器件供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系，共同生产新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模块，适用于3 kW至11 kW功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、EV充电站和板载充电器等应用的需要。此次发布将进一步加深双方长期以来保持的紧密合作关系。制造商对下一代功率应用的关键需求是节省空间和减轻
碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 制造 由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。 发现 爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。 性质 碳化硅至少有70种 [查看详细]
