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发烧友网报道（文/梁浩斌）在碳化硅产业链中，成本占比最高的部分是衬底，碳化硅衬底的产能决定了下游器件的产量上限。因此，衬底
国内碳化硅产业近年来发展神速，首先是碳化硅衬底上6英寸衬底的量产以及8英寸衬底的研发进度大幅拉近了与海外领先玩家的差距，另一方面是产能扩张上的投入越来越大。这使得国内在全球碳化硅产业中，无论是从市场需求，还是产业链上游的产能、技术上都处于重要地位。
此前麦肯锡的报告中显示，中国碳化硅市场上，80%的衬底/晶圆以及95%以上的器件来自海外供应商。但考虑到地缘以及供应稳定，中国汽车OEM正在加速寻求本土供应商，预计到2030年，中国汽车OEM厂商将广泛转向本地供应商采购，从目前的约15%提高到约60%。
而在刚刚过去的11月，国内碳化硅产业迎来了多个产能扩张项目以及衬底突破新进展，首先是在碳化硅衬底方面。正如硅基芯片所用到的硅晶圆，尺寸从6英寸、8英寸发展至12英寸一样，对于碳化硅功率器件所用到的衬底，同样在往大尺寸发展。
8英寸衬底的有效利用率高，推动产业链降本增效的效果明显，尤其是衬底在碳化硅产业链中所占价值可以高达50%的情况下。衬底尺寸越大，单位衬底可以制造的芯片数量越多，单位芯片成本就越低。因此推动8英寸衬底的量产，就是在加速降低碳化硅器件的成本。
11月，粤海金半导体宣布成功研制出8英寸导电型碳化硅单晶与衬底片，公司表示攻克了大量工艺技术难关，在自主研制的碳化硅单晶生长炉上成功制备出直径超过205毫米的8英寸导电型碳化硅晶体，晶体表面光滑无缺陷，厚度超过20毫米，同时已经顺利加工出8英寸碳化硅衬底片。在8英寸碳化硅晶体研发过程中成功解决了大直径晶体扩径生长、大尺寸热场分布和高温气相输运、大尺寸晶体应力控制等关键共性技术难题，形成并掌握了完整的工艺解决方案，获得了质量优良的碳化硅单晶与衬底片。
中电化合物也在11月宣布成功向客户交付首批次8英寸SiC 外延片产品，在技术指标方面，可以实现厚度均匀性≤3%、掺杂浓度均匀性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm²。与此同时，中电化合物自主研发和生产的6英寸碳化硅晶锭、衬底片、外延片都已经实现量产。
中电科南京外延材料产业基地也在11月正式投产，该项目由中电科半导体材料投资19.3亿元建立，一期项目年产456万片8-12英寸硅外延片，6-8英寸化合物半导体外延片年产12.6万片。
晶盛机电在11月正式启动了年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目，项目总投资21.2亿元。目前公司已经建设了6-8 英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线英寸衬底片已通过多家下游企业验证，正处于快速上量阶段，8英寸衬底片处于下游企业验证阶段。晶盛机电作为半导体设备供应商，在设备方面也采用自研的方式，公司已经成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。
国内电动汽车产业的需求强劲带动上游碳化硅产业的产能扩张，明年产能逐步落地后，供需可能出现反转，而到时碳化硅的普及可能会进一步加速。
