产品介绍
汽车、光伏等应用的带动下，碳化硅行业迎来了快速发展阶段。据Yole报告显示，未来碳化硅在功率半导体中的市场份额将稳步提升，到2028年将达到约25%的市场份额，属于一个具有明确发展前景的新兴领域。今年以来，碳化硅赛道依然火热。等海外碳化硅巨头相继宣布投资和扩产计划。与此同时，国内产业链也在加速建设，40多家炭化企业的硅相关项目取得新进展。
从碳化硅产业链来看，主要包括衬底、外延、器件设计、器件制造、封装测试等。从行业市场结构来看，碳化硅衬底市场目前以美国、日本为主和欧洲，其中美国是世界上最大的。领先厂商包括美国的Wolfspeed、II-VI、安森美，欧洲市场的ST、英飞凌，日本的罗姆、三菱、富士电机等。国际碳化硅外延公司主要有昭和电工、II-VI、Nol、Wolfspeed、Rohm、三菱电机、英飞凌等。
安森美半导体：正在韩国京畿道富川市建设全球最大的碳化硅（SiC）生产设施，目标于2024年完成设备安装，使富川市成为全球SiC生产中心。到2025年，富川工厂的SiC半导体年产能预计将达到100万片，占安森美半导体总产量的35%至40%。
Wolfspeed：2月份该公司宣布与采埃孚腓特烈港建立战略合作伙伴关系。双方拟建立联合创新实验室，推动碳化硅系统及装备技术在出行、工业、能源应用领域的进步。此次战略合作伙伴关系还包括采埃孚的一项重大投资，用于支持在德国恩斯多夫建设全球最大、最先进的200毫米碳化硅晶圆厂。6月，有消息称Wolfspeed获得20亿美元融资，该融资将用于扩建该公司在美国现有的两座碳化硅晶圆生产设施，并向捷豹、路虎等汽车制造商供应碳化硅芯片。
X-FAB：5月，宣布计划扩大位于美国德克萨斯州拉伯克的代工业务。第一期投资2亿美元，用于增加工厂碳化硅半导体的产量。根据市场需求，未来还将推出更多投资项目。
罗姆：将在日本宫崎县的第二工厂生产8英寸（200毫米）碳化硅晶圆，预计2024年投产。宫崎第二工厂原为Solar Frontier子公司的前国富工厂出光兴三.罗姆即将通过交易收购该工厂。一旦改建为罗姆在宫崎的第二座晶圆厂，这将成为罗姆最大的碳化硅功率半导体晶圆厂，生产8英寸晶圆。
住友电工：计划投资约300亿日元（约2.14亿美元）支付在富山县建设新工厂的费用，该工厂将于2027年开始大规模生产碳化硅晶圆。
SK powertech：5月宣布其位于韩国釜山的新工厂已完成试运行并进入量产。这意味着SK powertech的碳化硅（SiC）半导体产能将增加近两倍。
Resonac：前身为昭和电工，拥有全球碳化硅（SiC）外延片25%的市场份额。该制造商计划到2026年将SiC外延片的月产能提高到5万片（直径150毫米），相当于目前产能的约5倍。
博世：今年9月，完成了对美国加利福尼亚州罗斯维尔晶圆厂的收购。博世计划于2026年在该工厂开始在8英寸工艺平台上量产碳化硅器件，该项目总投资预计将达到15亿美元。
：将于2025年开始生产采用碳化硅（SiC）的下一代功率半导体产品，以减少损失。计划在群马县高崎工厂进行量产，该工厂目前生产硅基功率半导体，但具体投资额数量和生产规模尚未确定。
国内不少厂家也纷纷布局碳化硅这一热门领域。据不完全统计，今年以来，我国已有40多个SiC相关项目取得新进展，包括签约、新建产线、爬坡产能等。国内SiC产业链建设正在加速。
大族激光（设备）：在第三代半导体技术方面，公司碳化硅激光切片设备正在持续推进与行业领先客户的合作，为规模化生产做好准备，并已推出碳化硅激光退火。设备新产品。
天岳先进（衬底）：目前，从行业产业化和批量供货来看，导电碳化硅衬底仍以6英寸为主，国内外尚未实现8英寸衬底的规模化供应。公司已具备8英寸碳化硅衬底的量产能力，也将根据下游客户的需求，合理规划产品生产和销售安排。
晶盛机电（衬底）：公司于2017年开始碳化硅晶体生长设备及工艺的研发，已成功开发出6英寸、8英寸碳化硅晶体及衬底晶圆。是国内少数能够供应8英寸衬底晶圆的企业之一。企业。公司此前已建成一条6-8英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线英寸衬底晶圆已得到多家下游企业验证，并已批量销售。8英寸衬底晶圆正处于下游企业验证阶段。
三安光电（基板、器件）：子公司湖南三安碳化硅产品取得阶段性进展，实现8英寸基板准量产。部分产品已进入主流新能源汽车企业供应链。在碳化硅MOSFET方面，公司推出了650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET产品，具有高性能、高一致性、高可靠性等优势。其中，1700V/1000mΩ MOSFET主要应用于光伏逆变器辅助电源，1200V/75mΩ MOSFET主要应用于新能源汽车OBC。两款产品均处于客户导入阶段，将逐步批量供货；1200V/16mΩ车规级芯片已通过战略客户模块验证。
托尼电子（基板）：8英寸碳化硅基板正处于研发验证阶段。小批量订单已经下达，验证和量产过程将继续进行。
中电复合（外延片）：10月31日，公司完成首批8英寸SiC外延片产品向客户的交付。8英寸面积较6英寸增加78%，可大幅降低碳化硅器件成本，为进一步推动碳化硅材料降本增效提供有力支撑。技术指标方面，8英寸SiC外延片可实现厚度均匀度≤3%、掺杂浓度均匀度≤5%、表面致命缺陷≤0.5个/cm²。
扬杰科技（器件）：碳化硅系列二极管、MOSFET等系列产品在多个领域获得国内客户认可，并已批量出货。碳化硅晶圆项目工厂建设已封顶，设备已逐步进场，相关产品研发也在持续推进。预计该生产线年投入量产。
今年3月，特斯拉在投资者大会上透露，将减少75%碳化硅的使用量，一度引起业界对碳化硅市场前景的担忧。但新能源汽车、光伏等领域的蓬勃发展，仍为碳化硅行业注入强劲动力。无论是海外巨头还是国内厂商都在加大布局。近年来，国内碳化硅也取得了快速发展，产业链和生态不断完善。未来将与海外巨头竞争。
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(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状
的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙光，无
（SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。
(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在
器件快速开关过程中造成严重电压过冲，也导致损耗增加及电磁干扰等问题。而杂散电感的大小与开关换流回路的面积相关。其中，金属键合连接方式、元件引脚和多个芯片的平面
MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下
有哪些？ /
已经有差不多5、6 年的历史，最早是在车载的OBC上用，后面是在车载弹簧、车载电控上面用，目前
艾为第3代高灵敏度可编程电容触控芯片AW933xx系列，实现可靠接近检测和精准触摸手势识别
